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專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
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